发改办高技[2010]614号

　　国家发展改革委办公厅关于组织实施2010年

　　新型电力电子器件产业化专项的通知

　　各省、自治区、直辖市及计划单列市、新疆生产建设兵团发展改革委，有关中央管理企业：

　　为贯彻落实“十一五”高技术产业发展规划和信息产业发展规划，推进节能降耗，促进电力电子技术和产业的发展，2010年我委将组织实施新型电力电子器件产业化专项。根据《中央预算内投资补助和贴息项目管理暂行办法》（国家发展改革委第31号令），以及《国家高技术产业发展项目管理办法》（国家发展改革委第43号令），现将项目申报有关事项通知如下：

　　一、主要任务

　　大力推进新型电力电子器件产业发展，努力掌握自主知识产权的芯片和器件的设计、制造技术，以市场带动产业，尽快形成芯片和器件的规模化生产能力和产业配套能力，拓展电力电子技术在国民经济各领域的应用，为建设资源节约型和环境友好型社会奠定坚实基础。

　　二、专项重点

　　（一）芯片和器件的设计开发及产业化

　　支持金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）、集成门极换流晶闸管（IGCT）、绝缘栅双极晶体管（IGBT）、超快恢复二极管（FRD）等量大面广的新型电力电子芯片和器件的产业化，重点解决芯片设计、制造和封装技术，包括结构设计、可靠性设计，以及光刻、刻蚀、表面钝化、背面研磨、背面金属化、测试等工艺技术，提高产品档次。

　　（二）功率模块产业化

　　围绕电机节能、冶金、新能源、输变电、汽车电子、轨道交通等领域对功率模块的实际需求，支持采用自主技术芯片和器件的功率模块产业化，主要包括：大功率模块、智能功率模块（IPM）和用户专用功率模块（ASPM）等，重点解决散热关键技术、电磁兼容（EMC）技术和智能功率模块的驱动及保护技术等。

　　（三）电力电子应用装置示范

　　支持采用自主技术芯片、器件和功率模块的应用装置产业化和示范应用，包括变频装置、逆变装置、感应加热装置、无功补偿、有源滤波、通信（网络）电源等。

　　（四）配套材料产业化

　　支持配套材料产业化,重点支持陶瓷覆铜板、铝碳化硅基板等新型电力电子器件生产所需专用材料。

　　三、具体要求

　　（一）项目主管部门应根据投资体制改革精神和《国家高技术产业发展项目管理暂行办法》的有关规定，按照专项实施重点的要求，结合本单位、本地区实际情况，认真做好项目组织和备案工作，组织编写项目资金申请报告并协调落实项目建设资金、节能、环保、土地、规划等相关建设条件。

　　（二）项目主管部门应对资金申请报告及相关附件（如银行贷款承诺、自有资金证明等）进行认真核实，并负责对其真实性予以确认。

　　（三）项目建设单位应实事求是制定建设方案，严格控制征地、新增建筑面积和投资规模。项目资金申请报告的具体编写要求及所需附件内容参见附件一。电力电子应用装置示范项目应提供项目建设单位与相关单位的合作协议。

　　（四）本次专项采取纸质材料申报和网上申报并行的组织实施方式。请各项目主管部门于2010年5月31日前，将项目的资金申请报告和有关附件、项目简介和基本情况表（见附件二）、项目的备案材料等一式二份（同时须附各项目简介及所有项目汇总表的电子文本）报送我委高技术产业司。

　　请项目主管部门登陆国家发展改革委高技术产业发展项目管理系统http://ndrc.jhgl.org/xxcyh（新兴产业一处入口），履行相关网上申报手续。纸质材料申报和网上申报的截止时间相同，项目信息应完全一致，未履行网上申报手续的项目将不予受理。

　　（五）在项目主管部门申报的基础上，我委将按照公正、公平的原则，组织专家评审，择优支持。

　　特此通知。

　　附件一：项目资金申请报告编制要点

　　二：项目及项目单位基本情况表

　　国家发展和改革委员会办公厅

　　二〇一〇年三月十九日

　　主题词：电力电子产业化专项通知

声明：本频道资讯内容系转引自合作媒体及合作机构，不代表自身观点与立场，建议投资者对此资讯谨慎判断，据此入市，风险自担。